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樊永辉:5G将进一步推动中高频器件技术进步与市场规模
5分11选5玩法-5分排列3玩法|2019-11-06 16:17:11
作者:崔亮亮来源:5分11选5玩法-5分排列3玩法

【5分11选5玩法-5分排列3玩法讯】(记者 崔亮亮)中高频器件,即应用于5G中频(Sub-6GHz)和高频(毫米波 mmWave)频段的射频器件。中高频核心器件是实现5G通信与网络的核心与关键之一,《国家制造业创新中心建设领域总体布局(2018年新增)》中明确列入5G中高频器件。但此类器件技术目前被国外掌控,对我国5G产业发展形成制约瓶颈。

11月6日,在2019中国5G终端创新峰会暨第七届中国手机设计大赛天鹅奖颁奖礼上,未来通信高端器件创新中心、深圳市汇芯通信技术有限公司樊永辉表示,未来通信高端器件创新中心紧扣5G中高频核心器件设计、制造、测试和应用等各环节关键技术,以器件设计为核心,垂直应用为引擎,整合产业链优势资源,弥补通信产业链缺失环节,打破国外技术壁垒,实现中高频核心器件前沿和共性技术研发供给、转移扩散和首次商用化,为我国争夺未来通信技术国际制高点提供有力支撑。

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我国5G产业发展已走在世界前列,但在整体产业链布局方面,我国企业主要处于产业链的中下游。在产业链上游,尤其是中高频芯片和器件等核心环节,技术和产业发展水平远远落后于国外。

樊永辉表示,一是关键核心技术缺失。在化合物半导体材料等基础领域技术落后、产能不足。缺乏先进成熟的半导体制造工艺,整体落后世界先进水平两代以上。高端芯片设计方面差距较大。此外还面临国外在相关领域中严密的专利布局和技术封锁。二是产业上下游协同不足 。缺乏长期有效的协同合作机制,器件企业与整机设备企业间未形成密切合作、互利共赢的生态体系。芯片和器件研发生产投入大,没有整机设备企业的支持,很难市场化。

为此,创新中心确定了,新型半导体材料及工艺共性关键技术和产业化;基站用中高频功率放大器、滤波器、阵列天线等核心器件产业化关键技术;面向射频前端、硅基毫米波集成芯片设计关键技术三大主要研发方向。

到2020年创新中心将实现中高频器件的国产替代,解决有无问题。2023年到2026年,实现全产业链关键环节能力的自主可控。2027年以后,实现全产业链技术,工艺能力国际领先,并逐步扩展到其他器件领域。

为了更好地推动产业链的整体协同,5G创新中心采用“公司+联盟+基金”三轮驱动的运作机制, 依托5G创新中心的平台,成立了5G产业技术联盟。

联盟将为加强5G中高频器件产业前沿和共性关键技术研发、促进5G通信领域技术转移扩散和首次商业化应用、加强5G通信领域内创新人才队伍建设起到积极作用。

未来,樊永辉表示,5G通信将带动射频前端市场高速发展。中高频射频器件是5G通信的核心,5G的发展将进一步推动中高频器件的技术进步与市场规模,总的趋势就是小型化、模块化和更高的频率与集成化。

2019中国5G终端创新峰会暨第七届中国手机设计大赛天鹅奖颁奖礼是2019中国手机创新周暨第七届中国手机设计大赛的收官活动。本届大赛以“创新5G时代 共赢智能未来”为主题,紧扣5G发展大势,力求通过活动弘扬ICT工匠精神,厚植创新文化,鼓励中国手机的原创设计与创新开发,促进产业链协作交流,引导培育良性产业生态,推动中国智能终端及移动应用产业的创新发展,助力制造强国、网络强国和数字中国建设。

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责任编辑:崔亮亮

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